芯片制造檢測設(shè)備

芯片制造檢測設(shè)備是MRD 高分辨X射線衍射儀其可靠性的增強及性能的改進(jìn)提高了分析能力，提供一體化解決方案來滿足不同需求和應(yīng)用：
• 半導(dǎo)體和單晶晶圓：倒易空間探索、搖擺曲線分析
• 多晶固體和薄膜：織構(gòu)分析、反射測量
• 超薄薄膜、納米材料和非晶層：掠入射物相鑒定、面內(nèi)衍射
• 非常溫條件下的測量：隨溫度和時間變化的峰高
芯片制造檢測設(shè)備特點：
X'Pert3MRD 經(jīng)過專門設(shè)計，符合現(xiàn)代材料研發(fā)實驗室的要求。X'Pert3MRD 的開發(fā)重點考慮了薄膜應(yīng)用的需要，因此提供了多種樣品架，可容納直徑達(dá) 200 mm 的晶圓，亦能用于晶圓表面的多點掃描。其大型樣品臺可以裝載多個樣品。

X'Pert3 MRD 將新技術(shù)融入到了測角儀軸承設(shè)計和位置編碼中，從而提高了整體性能。在測角儀軸承上應(yīng)用的創(chuàng)新成果改進(jìn)了黏滑行為，即使是在高負(fù)載條件下，也能夠極其流暢地作旋轉(zhuǎn)移動。在 omega 和 2theta 軸上使用了一*的 Heidenhain 光學(xué)編碼器，因而改進(jìn)了短距離和長距離準(zhǔn)確性，并且同時提高了位置報告和測角儀定位的速度。

X'Pert3 MRD 的歐拉環(huán)樣品臺可實現(xiàn)高精度、可重復(fù)且無障礙的移動，方便進(jìn)行樣品旋轉(zhuǎn)、傾斜以及 x 軸、y 軸和 z 軸平移，確保為要求嚴(yán)格的 XRD 應(yīng)用實現(xiàn)用途廣泛且準(zhǔn)確的樣品定位。
（預(yù)校準(zhǔn)且可快速更換的 X 射線模塊）概念使 MRD 能夠在無需重新校準(zhǔn)的情況下進(jìn)行更換配置。當(dāng)實驗要求發(fā)生改變時，可以輕松添加新的 PreFIX 組件，這使得整套方案變得靈活、快速且能滿足未來的需要。可提供選擇豐富的 PreFIX 模塊，包括：
X 射線平行光反射鏡
復(fù)晶單色器
高分辨率四晶單色器
多毛細(xì)管透鏡
程控和固定的發(fā)散及防散射狹縫
交叉狹縫和單毛細(xì)管光學(xué)器件
探測器產(chǎn)品組合在不斷發(fā)展。PIXcel3D 探測器具有在半導(dǎo)體和薄膜應(yīng)用中的特殊優(yōu)勢，該探測器具備完整的多功能性，允許實現(xiàn)高動態(tài)范圍的測量，而無需進(jìn)行光束衰減。PIXcel 探測器可用于各類應(yīng)用需求，可以輕松地將它從 0D 接收狹縫模式切換為 1D 和 2D 靜態(tài)及掃描模式。
應(yīng)用
半導(dǎo)體和單晶晶圓 
無論是用于生長研究還是設(shè)備設(shè)計，使用高分辨率 XRD 對結(jié)構(gòu)層質(zhì)量、厚度、應(yīng)力和合金組分進(jìn)行測量的過程已成為電子和光電子多層半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)核心所在。
借助多種可供選擇的 X 射線反射鏡、單色器和探測器，X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 提供了高分辨率配置以適應(yīng)不同的材料系統(tǒng)。從晶格匹配半導(dǎo)體，到弛豫緩沖層，再到非標(biāo)準(zhǔn)基片上的新型外來層。

多晶固體和薄膜
多晶薄膜和涂層是許多薄膜和多層膜設(shè)備的重要組成部分。沉積過程中多晶層形態(tài)的演變是功能材料研發(fā)的一個關(guān)鍵研究領(lǐng)域。
X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 可全面配備狹縫系統(tǒng)、平行光 X 射線反射鏡、多毛細(xì)管透鏡、交叉狹縫和單毛細(xì)管等一系列入射光路部件，以滿足反射測量、應(yīng)力、織構(gòu)和物相鑒定測試的需要。

超薄薄膜、納米材料和非晶層
功能設(shè)備可能包含無序、非晶或納米復(fù)合材料薄膜。X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 系統(tǒng)的靈活性允許結(jié)合使用多種分析方法。
可提供一系列高分辨率光學(xué)器件、狹縫和平行板準(zhǔn)直器，確保為掠入射、面內(nèi)衍射和反射測量實現(xiàn)更高的性能。

非常溫條件下的測量
研究材料在各種條件下的變化是材料研究和過程開發(fā)中很重要的組成部分。

X'Pert3 MRD 和 X'Pert3 MRD XL 經(jīng)過專門的設(shè)計，可輕松整合 Anton Paar 提供的 DHS1100 變溫樣品臺，從而能夠在一系列溫度范圍和惰性氣體環(huán)境下自動進(jìn)行測量。